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ge-10.html: 日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発:200℃以下でSi層とGe層を積層
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日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発:200℃以下でSi層とGe層を積層
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発:200℃以下でSi層とGe層を積層
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